транзисторы
Выберите подкатегорию
ТРАНЗИСТОР 2SC2456
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 80Iк,А: 0,3Р,Вт: 0,65Bст F,Мгц: 350..
180.00р.
ТРАНЗИСТОР 2SC5198 to-3p
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 110Iк,А: 7Р,Вт: 50Bст F,Мгц: 30..
120.00р.
ТРАНЗИСТОР 2SC5386
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 25Iк,А: 0,05Р,Вт: 0,3Bст F,Мгц: 250..
363.00р.
ТРАНЗИСТОР 2SC5446
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 140Iк,А: 0,5Р,Вт: 0,57Bст F,Мгц: 65..
200.00р.
ТРАНЗИСТОР 2П 609 Б Au to-39
На складе: 0
2П609БТранзисторы 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещен..
2250.00р.
ТРАНЗИСТОР 2П 902 А Au to-60
На складе: 0
2П902АТранзисторы 2П902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Пол..
500.00р.
ТРАНЗИСТОР 2П103В NI
На складе: 0
2Т951А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Транзи..
100.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 201 А Ni to-18
На складе: 0
2Т939АТранзисторы 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназнач..
150.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 831 Б Au to-39
На складе: 0
2Т831БТранзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены..
450.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 836 А Ni
На складе: 0
2Т836АТранзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применени..
450.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 966 А
На складе: 0
2Т966АТранзисторы 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназнач..
1875.00р.

8-996-24-24-666






