8-996-24-24-6661. Микросхемы, Транзисторы
Выберите подкатегорию
ТРАНЗИСТОР 2П 609 Б Au to-39
На складе: 0
2П609БТранзисторы 2П609Б полевые кремниевые эпитаксиально-планарные с затвором в виде обратно смещен..
2250.00р.
ТРАНЗИСТОР 2П 902 А Au to-60
На складе: 0
2П902АТранзисторы 2П902А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и каналом n-типа. Пол..
500.00р.
ТРАНЗИСТОР 2П103В NI
На складе: 0
2Т951А Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные. Транзи..
100.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 201 А Ni to-18
На складе: 0
2Т939АТранзисторы 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназнач..
150.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 831 Б Au to-39
На складе: 0
2Т831БТранзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предназначены..
450.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 836 А Ni
На складе: 0
2Т836АТранзисторы кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные. Предназначены для применени..
450.00р.
ТРАНЗИСТОР 2Т 966 А
На складе: 0
2Т966АТранзисторы 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные. Предназнач..
1875.00р.
ТРАНЗИСТОР IRF7537 to-220
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 200Iк,А: 10Р,Вт: 2Bст F,Мгц: 1500..
130.00р.
ТРАНЗИСТОР IRGP50B60PD1 (GP50B60PD1) to-247
На складе: 0
ТИП пров.: n-p-nUкэ,В: 30Iк,А: 0,2Р,Вт: 0,15Bст F,Мгц: 75..
220.00р.
