На большое количество скидки до 80%!
транзисторы
На складе: 20
КТ8115БТранзисторы КТ8115Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные..
120.00р.
На складе: 8
КТ8115ВТранзисторы КТ8115В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные..
135.00р.
На складе: 67
КТ8116АТранзисторы КТ8116А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные..
75.00р.
На складе: 2
КТ8116БТранзисторы КТ8116Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные..
180.00р.
На складе: 28
КТ812АТранзисторы КТ812А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для прим..
190.00р.
На складе: 176
КТ812БТранзисторы КТ812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для прим..
190.00р.
На складе: 96
КТ812ВТранзисторы КТ812В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные. Предназначены для прим..
240.00р.
На складе: 9
КТ8126А-1Транзистор КТ8126А-1 кремниевый пленарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен дл..
250.00р.
На складе: 10
КТ8126Б-1Транзистор КТ8126Б-1 кремниевый пленарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен дл..
210.00р.
На складе: 14
КТ8130БТранзисторы КТ8130Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные..
30.00р.
На складе: 21
КТ8130БТранзисторы КТ8130Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные..
30.00р.
На складе: 100
КТ8131АТранзисторы КТ8131А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные..
50.00р.
На складе: 30
КТ8131БТранзисторы КТ8131Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные..
35.00р.
На складе: 42
КТ8131ВТранзисторы КТ8131В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n составные усилительные..
30.00р.
На складе: 20
..
150.00р.
На складе: 18
КТ814АТранзисторы КТ814А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предна..
40.00р.
На складе: 19
КТ814БТранзисторы КТ814Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предна..
45.00р.
На складе: 29
КТ814ВТранзисторы КТ814В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предна..
50.00р.
На складе: 127
КТ814ГТранзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предна..
55.00р.
На складе: 25
КТ815АТранзисторы КТ815А кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предн..
40.00р.
На складе: 14
КТ815БТранзисторы КТ815Б кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предн..
45.00р.
На складе: 82
КТ815ВТранзисторы КТ815В кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предн..
50.00р.
На складе: 124
КТ815ГТранзисторы КТ815Г кремниевые меза-эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные. Предн..
55.00р.
На складе: 8
КТ8156АКремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингт..
255.00р.
На складе: 41
КТ8156БКремниевые эпитаксиально-планарные составные биполярные транзисторы (транзисторы Дарлингт..
100.00р.