На большое количество скидки до 80%!
КТ838А
Транзисторы КТ838А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в каскадах горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.408 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ838А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом
Транзисторы КТ838А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в каскадах горизонтальной развертки телевизоров и видеоконтрольных устройств.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.336.408 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ838А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 1500 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1 мА (1500В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 6;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,1 Ом