На большое количество скидки до 80%!
КТ892Б
Транзисторы КТ892Б кремниевые планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в схемах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: АДБК.432148.017 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ892Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 8 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 300;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,225 Ом
Транзисторы КТ892Б кремниевые планарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в схемах зажигания автомобилей, схемах управления двигателями.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: АДБК.432148.017 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ892Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 8 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 300;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,225 Ом