На большое количество скидки до 80%!
МП42Б
Транзисторы МП42Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.634 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП42Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 45...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом
Транзисторы МП42Б германиевые сплавные p-n-p переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.634 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП42Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 1 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 45...100;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом