На большое количество скидки до 80%!
BU941ZP
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим диодами, структуры n-p-n.
Транзистор BU941ZP предназначен для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный составной транзистор (транзистор Дарлингтона) с интегральными демпфирующим диодами, структуры n-p-n.
Транзистор BU941ZP предназначен для работы в схемах электронного управления зажигания, а также в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: ТО-218.
Диапазон рабочих температур: от -65 до +175 °C.