На большое количество скидки до 80%!
2П901А
Транзисторы 2П901А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн.
Транзисторы 2П901А, 2П901Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-4-2.
Масса транзистора не более 6 г.
Технические условия: ЖК3.365.243 ТУ.
Транзисторы 2П901А-5, 2П901Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для использования в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса кристалла не более 0,00012 г.
Технические условия: аА0.339.496 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2П901А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 20 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 85 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 4 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 200 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 50 мА;
• S - Крутизна характеристики: 50... 160 мА/В (20В; 0,5А);
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 10 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7 дБ на частоте 100 МГц
Транзисторы 2П901А кремниевые планарные полевые с изолированным затвором и индуцированным каналом n-типа генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне коротких и ультракоротких длин волн.
Транзисторы 2П901А, 2П901Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-4-2.
Масса транзистора не более 6 г.
Технические условия: ЖК3.365.243 ТУ.
Транзисторы 2П901А-5, 2П901Б-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов для использования в гибридных интегральных микросхемах.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса кристалла не более 0,00012 г.
Технические условия: аА0.339.496 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2П901А:
• Структура транзистора: с изолированным затвором, с индуцированным n-каналом;
• Рси т max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток с теплоотводом: 20 Вт;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 70 В;
• Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 85 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 4 А;
• Iс нач - Начальный ток стока: не более 200 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: не более 50 мА;
• S - Крутизна характеристики: 50... 160 мА/В (20В; 0,5А);
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 10 пФ;
• Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 7 дБ на частоте 100 МГц