2Т825В
Транзисторы 2Т825В кремниевые мезапланарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т825А, 2Т825Б, 2Т825В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т825А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
   - в металлическом корпусе не более 20 г,
   - кристалла не более 0,025 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.054 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т825В:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 750...18000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 600 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,4 Ом