КТ605БМ
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в усилителях, импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Транзисторы КТ605АМ, КТ605БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТ-27.
Технические условия: аА0.336.302 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ605БМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 40 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 7 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 400 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 250 пс