2Т704Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных высоковольтных модуляторах.
Транзисторы 2Т704А, 2Т704Б, КТ704А, КТ704Б, КТ704В выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Вывод эмиттера маркируется точкой.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-10.
Технические условия: ЖК3.365.245 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т704Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 мГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом