КТ835Б
Транзисторы КТ835Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.402 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ835Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,15 мА (45В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 100;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,35 Ом