На большое количество скидки до 80%!
2Т975Б
Транзисторы 2Т975Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсном режиме в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1,4...1,6 ГГц в схеме с общей базой.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-59.
Технические условия: аА0.339.299 ТУ.
Транзисторы 2Т975Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсном режиме в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1,4...1,6 ГГц в схеме с общей базой.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 6 г.
Тип корпуса: КТ-59.
Технические условия: аА0.339.299 ТУ.