На большое количество скидки до 80%!
КТ3102Д
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.122 ТУ.
Транзисторы кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзисторы КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д, КТ3102Е выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются на боковой поверхности корпуса.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзисторов не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.122 ТУ.