На большое количество скидки до 80%!
КТ8232А-1
Кремниевые мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n).
КТ8232А-1 предназначены для применения в коммутационных схемах широкого и специального применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).
Основные технические характеристики транзистора КТ8232А-1:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 300... 8000;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом
Кремниевые мощные биполярные транзисторы Дарлингтона (n-p-n).
КТ8232А-1 предназначены для применения в коммутационных схемах широкого и специального применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 10 г.
Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).
Основные технические характеристики транзистора КТ8232А-1:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 125 Вт;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 300... 8000;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,18 Ом