1N5819
Диоды 1N5819 кремниевые, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в быстродействующих импульсных устройствах, а также в устройствах преобразования переменного напряжения с максимально допустимый средним прямым током 1 А.
Выпускаются в  литом пластиковом корпусе корпусе с гибкими выводами.
На корпусе со стороны катодного вывода нанесена кольцевые метка.
Масса диода не более 0,33 г.
Тип корпуса: DO-41.
Диапазон рабочих температур: от -55 до +125 °C.