2Д219Б
Диоды 2Д219Б кремниевые, эпитаксиальные, с барьером Шоттки.
Предназначены для применения в низковольтных вторичных источниках электропитания на частотах 10...200 кГц.
Используются в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Категория качества: «ВП».
Технические условия: аА0.339.075 ТУ.

Основные технические характеристики диода 2Д219Б:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 20 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 10 А;
• Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 250 А;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,6 В при Inp 10 А;
• fmax - Максимальная рабочая частота диода: 200 кГц.

Пример условного обозначения при заказе:
  - Диод 2Д219Б - аА0.339.075ТУ.