КД2995Е
Диоды кремниевые, эпитаксиальные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 20 до 200 кГц (2Д2995А, 2Д2995Б, 2Д2995В, 2Д2995Г, 2Д2995Д, КД2995А, КД2995Б, КД2995В) и от 10 до 200 кГц (2Д2995Е, 2Д2995Ж, 2Д2995И, КД2995Г, КД2995Д, КД2995Е) во вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 8 г.
Тип корпуса: КД-11.
Технические условия: аА0.336.657 ТУ.

Основные технические характеристики диода КД2995Е:
• Uoбp и max - Максимальное импульсное обратное напряжение: 100 В;
• Inp max - Максимальный прямой ток: 25 А;
• fд - Рабочая частота диода: 10... 200 кГц;
• Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1,1 В при Inp 30 А;
• Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при Uoбp 100 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: не более 0,01 мкс