На большое количество скидки до 80%!
КТ8170Б-1
Транзистор n-p-n КТ8170Б-1 мощный высоковольтный биполярный.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 1 г.
Корпусное исполнение: корпус КТ-27-2.
Технические условия: АДБК.432140.603 ТУ.
Транзистор n-p-n КТ8170Б-1 мощный высоковольтный биполярный.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 1 г.
Корпусное исполнение: корпус КТ-27-2.
Технические условия: АДБК.432140.603 ТУ.