КП302БМ
Транзисторы КП302БМ кремниевые планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях в диапазоне частот до 150 МГц, а также в переключающих и коммутирующих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7 (ТО-18).
Технические условия: ЖК3.365.233 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КП302БМ:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 300 мВт;
• Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 2,5... 7 В;
• Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 10 В;
• Iс - Ток стока (постоянный): 43 мА;
• Iс нач - Начальный ток стока: 18...43 мА;
• Iс ост - Остаточный ток стока: 6 мА;
• S - Крутизна характеристики: 7... 14 мА/В;
• С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 20 пФ;
• С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 8 пФ;
• Rcи отк - Сопротивление сток-исток в открытом состоянии: не более 150 Ом;
• tвкл - Время включения транзистора: не более 4 нс;
• tвыкл - Время выключения транзистора: не более 5 нс