2Т321Б
Транзисторы 2Т321Б кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т321Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40... 120;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом