На большое количество скидки до 80%!
КТ503Д
Транзисторы КТ503Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.183 ТУ/02.
Транзисторы КТ503Д кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.183 ТУ/02.