На большое количество скидки до 80%!
2Т944А
Транзистор 2Т944А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным винтом.
Масса транзистора не более 40 г.
Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
Технические условия: аА0.339.059 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т944А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 105 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц
Транзистор 2Т944А кремниевый эпитаксиально-планарный n-p-n усилительный.
Предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.
Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным винтом.
Масса транзистора не более 40 г.
Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
Технические условия: аА0.339.059 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т944А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 105 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц