КТ8170А-1
Транзистор n-p-n КТ8170А-1 мощный высоковольтный биполярный.
Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов  не более 1 г.
Корпусное исполнение: корпус КТ-27-2.
Технические условия: АДБК.432140.603 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ8170А-1:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 700 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 9 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 25